Дослідження аномального переміщення електронів перпендикулярно керуючому електричному полю (навіть у відсутності магнітного поля), який проявляється в таких цікавих фізичних явищах, як спіновий і аномальний ефекти Холла, становлять велику важливість для майбутніх спінтронних додатків і, можливо, навіть для квантових комп’ютерів.
У Німецькому Національному метрологічному інституті інженерам вдалося вперше виміряти з пикосекундной дозволом швидкість аномального переміщення носіїв заряду в арсеніді галію (GaAs).
Оптичним фемтосекундним лазером вони порушували в напівпровіднику носії з певним спіном, які потім прискорювали високочастотними імпульсами електричного поля. При цьому носії заряду рухалися зі швидкістю, не тільки паралельної електричному полю, а й має аномальну, перпендикулярну складову. Швидкість вимірювали, вивчаючи те, як змінюється з часом електромагнітне випромінювання досвідченого зразка.
Отримані результати, на думку вчених, дозволять по новому поглянути на мікроскопічні причини цього явища. Вони представлені в статті, що вийшла в останньому номері журналу Physical Review Letters.